功率MOSFET在开关过程中要跨越放大区也就是线性区，形成电流和电压的交叠区从而产生开关损耗，米勒平台就是在这个过程中形成的一段时间相对稳定的放大区。栅极驱动电压通常远大于米勒平台，那么：
为什么在开关过程中VGS电压会保持平台不变？
高压超结结构的米勒平台的时间长但为什么反而开关损耗小？
VGS为什么在米勒平台产生振荡?
本文将详细地论述这些问题，从而在实际的应用中提供设计优化的方向。
本文发表于《今日电子》2018.05期：P38-40，点击下方：阅读原文，即可阅读。
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功率MOSFET在开关过程中要跨越放大区也就是线性区，形成电流和电压的交叠区从而产生开关损耗，米勒平台就是在这个过程中形成的一段时间相对稳定的放大区。栅极驱动电压通常远大于米勒平台，那么：
为什么在开关过程中VGS电压会保持平台不变？
高压超结结构的米勒平台的时间长但为什么反而开关损耗小？
VGS为什么在米勒平台产生振荡?
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本文发表于《今日电子》2018.05期：P38-40，点击下方：阅读原文，即可阅读。
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